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光刻法制造超高Q值光纳米共振器

时间:2022-06-05 00:32 点击次数:
  本文摘要:大阪府而立大学和日本产业技术综合研究所(产综研)2016年3月16日宣告,用于合适工业生产的光刻法,顺利生产出有了Q值(回应光密封强度的指标)超过100万以上的光纳米共振器。此次成果使硅光子晶体元器件的量产沦为有可能,未来将会建构新型光子产业。 用于硅光子晶体的光纳米共振器可将光强力密封在微小区域内,凭借这一特点,可应用于硅激光器、光存储器及医疗临床传感器等领域。 特别是在是在近年来倍受注目的超强低功耗硅拉曼激光器领域,享有100万以上Q值的光纳米共振器被指出是不可或缺的。

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大阪府而立大学和日本产业技术综合研究所(产综研)2016年3月16日宣告,用于合适工业生产的光刻法,顺利生产出有了Q值(回应光密封强度的指标)超过100万以上的光纳米共振器。此次成果使硅光子晶体元器件的量产沦为有可能,未来将会建构新型光子产业。  用于硅光子晶体的光纳米共振器可将光强力密封在微小区域内,凭借这一特点,可应用于硅激光器、光存储器及医疗临床传感器等领域。

特别是在是在近年来倍受注目的超强低功耗硅拉曼激光器领域,享有100万以上Q值的光纳米共振器被指出是不可或缺的。  Q值超过100万以上的光纳米共振器仍然使用不合适大量生产的电子束光刻法生产。

要想要构建在工业中的应用于,就必需用于在半导体生产中少见的光刻法在大面积晶圆上统一生产。光刻法虽然享有电子束光刻法100万倍的生产效率,但在识图案构成方面精度较好,以前Q值不能超过20万。  此次,在产综研超级无尘室(SCR)的硅元器件一条龙批量生产生产线上,用于最尖端的ArF液浸光刻法以及一线技术人员的工艺经验,在直径为30cm的硅晶圆的整个面上生产出有了高精度光纳米共振器。

对多个样品展开检测的结果表明,可取得平均值150万、最低200万以上的Q值。今后,通过优化共振器的结构,还有望取得更高的Q值。  除了超高Q值光纳米共振器以外,硅光子晶体在太阳能电池、冷辅射光源及热电发电等领域的应用于研发也日益活跃。并且,通过更进一步发展此次的研究成果,还有望在其他应用领域构建基于光刻法手段的量产。


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